本实用新型涉及一种半导体晶体炉，特别是涉及一种晶体炉的真空与排气管路结构。
背景技术：
晶体炉是制造半导体晶体的专用设备，目前，有多种半导体晶体炉的晶体生长过程需要进行正压操作和抽真空操作，其正压操作压力可达1Mpa，其抽真空操作的真空绝压可达10torr，且目前半导体晶体炉设备大多体积较小，从设备强度设计考虑，不适宜设置过多设备开孔。由于在同一个晶体生长过程中，需要进行正压操作和抽真空操作，对于不耐正压的真空管路以及不耐负压的排气管路，提出了更高的改进要求。晶体炉内部需要维持一定正压的要求，因此排气管路具备微量排气的调节需求。在现有技术中，由于工艺正压操作压力较高，设备泄压排气速度过快，容易造成管路管件及设备内部内件震动，且晶体炉设备模块紧凑，炉内晶体生长时，高温也容易对管路阀门组件的软质密封件造成损坏。
技术实现要素：
有鉴于此，本实用新型的主要目的在于提供一种晶体炉的真空与排气管路结构，通过本技术方案，可以有效地满足真空管路的负压要求和排气管路的正压要求，并且整个真空与排气管路结构简洁紧凑，方便拆卸及维护。
为了达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：一种晶体炉的真空与排气管路结构，包括真空管路、进气口、排气管路、真空及排气管路三通件、真空保护阀、排气保护阀，所述进气口设置在所述真空及排气管路三通件的前端上，所述真空保护阀设置在所述真空管路的前端，所述真空及排气管路三通件安装在所述真空保护阀的前端上，所述排气保护阀设置在所述排气管路的前端，所述排气保护阀的前端与所述真空及排气管路三通件连接。
作为本实用新型的进一步改进，包括水冷盘，所述水冷盘设置在所述真空及排气管路三通件的前端与所述进气口连接处的位置上。
作为本实用新型的又进一步改进，包括安全阀、排气阀、微量调节阀、微量调节排气阀，所述排气管路包括第一支路、第二支路和第三支路，所述第一支路设置有所述安全阀，所述第二支路与所述排气阀连接，所述第三支路与所述微量调节排气阀的进气端连接，所述微量调节排气阀的排气端通过管路与所述微量调节阀相连。
作为本实用新型的又进一步改进，包括限流孔板，所述限流孔板设置在所述第二支路的排气阀与所述排气保护阀之间的支路管路中。
作为本实用新型的更进一步改进，包括波纹软管，所述波纹软管分别设置在所述第二支路的排气阀与所述排气保护阀之间的支路管路上以及所述第三支路的微量调节排气阀与所述排气保护阀之间的支路管路上。
采用上述技术方案后的有益效果是：一种晶体炉的真空与排气管路结构，通过本技术方案，可以有效地满足真空管路的负压要求和排气管路的正压要求，便于按照晶体炉工艺需求进行正压操作和抽真空操作，且可有效避免管路部件因高温、振动造成的损毁，从而确保晶体炉整个长晶过程的顺利进行，整个真空与排气管路结构简洁紧凑，方便拆卸及维护。
附图说明
图1为本实用新型晶体炉的真空与排气管路结构的示意图。
图中序号，1 进气口、2 水冷盘、3 真空及排气管路三通件、4 真空保护阀、5 真空阀、6真空计、7 抽真空口、8 排气保护阀、9 安全阀、10 波纹软管、11 限流孔板、12 排气阀、13 微量调节阀、14 真空管路、15 微量调节排气阀、16 排气管路。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型中具体实施例作进一步详细说明。
如图1所示，本实用新型涉及的晶体炉的真空与排气管路结构，包括真空管路14、进气口1、排气管路16、真空及排气管路三通件3、真空保护阀4、排气保护阀8、抽真空口7、真空计6、真空阀5，进气口1设置在真空及排气管路三通件3的前端上，真空保护阀4设置在真空管路14的前端上，真空及排气管路三通件3安装在真空保护阀4的前端上，排气保护阀8设置在排气管路16的前端，排气保护阀8的前端与真空及排气管路三通件3连接，真空管路14的后端设置有真空阀5，真空阀5上设置有抽真空口7，真空计6设置在真空管路14的外壁上并与真空管路14内相连通，真空阀上设置抽真空口，抽真空口与抽真空设备相连为现有技术，在此不再进一步详细说明。
本实用新型还包括水冷盘2，水冷盘2设置在真空及排气管路三通件3的前端与进气口1连接处的位置上。
本实用新型还包括安全阀9、排气阀12、微量调节阀13、微量调节排气阀15，排气管路16包括第一支路、第二支路和第三支路，第一支路设置有安全阀9，第二支路与排气阀12连接，第三支路与微量调节排气阀15的进气端连接，微量调节排气阀15的排气端通过管路与微量调节阀13相连。
本实用新型还包括限流孔板11，限流孔板11设置在第二支路的排气阀12与排气保护阀8之间的支路管路中。
本实用新型还包括波纹软管10，波纹软管10分别设置在第二支路的排气阀12与排气保护阀8之间的支路管路上以及第三支路的微量调节排气阀15与排气保护阀8之间的支路管路上。
由于真空管路系统中的常规管件尤其是真空计6不耐正压，因此在真空管路14的前端设有可同时耐受正压和负压的真空保护阀4，在系统工艺正压操作中通过隔断作用保护真空管件；排气管路系统中的常规管件在负压工艺下易存在泄漏，不能保证抽真空效果，且部分管件结构不可耐受负压，因此在排气管路16的前端安装有可耐受正压和负压排气保护阀8，在负压操作时，保证系统抽真空效果。
排气管路分为三个支路，第一支路设有安全阀9，第二支路为主排气管路，第三支路为微量排气调节管路，其中第三支路配合设备上压力传感器进行炉内正压微调。
真空管路14与排气管路16通过真空及排气管路三通件3与晶体炉设备连接，减少压力容器设备的开孔数量，使结构上更加紧凑。
水冷盘2设置在真空及排气管路三通件3的前端与进气口1连接处的位置上，可防止炉内高温对于管路管件的损伤。
在第二支路上的排气阀12前端设有限流孔板11，通过多级限流作用，限制晶体炉泄压排气过程的速度，防止因排气过快造成管路管件及设备内部内件震动。第二支路与第三支路上设置波纹软管10，可防止因阀门调节动力装置引起的震动以及泄压排气过程中引起的震动传到设备和真空系统，从而确保晶体炉整个长晶过程的顺利进行。
以上所述，仅为本实用新型的较佳可行实施例而已，并非用以限定本实用新型的范围。