技术编号:11762497
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于半导体制造领域,涉及一种测试结构,特别是涉及一种后段工艺可靠性测试结构。背景技术随着集成电路技术的发展,越来越多的先进工艺不断出现。层间金属之间的金属插塞(via)的刻蚀对后段可靠性(BEOLreliability)产生了严重的影响。如果金属插塞蚀刻的效果不理想,例如包括金属插塞蚀刻偏移或者过度蚀刻,都将会影响到后段工艺的可靠性。一般来说,相较于下层金属插塞,顶层金属插塞的直径要大得多。在制作金属线的过程中,若顶层通孔刻蚀过程中产生偏移,将发生顶层通孔边缘部分蚀刻进下一层的层间介质...
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