技术编号:11776716
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术,具体涉及一种半导体器件电连接结构及其制造方法。背景技术随着集成电路的集成度越来越高,进一步提高芯片的集成度变得越来越困难;为此另一种可行的办法是通过倒装焊形式的三维(3D)封装,实现芯片间的垂直连接,减小封装结构的面积。与引线键合方式相比,倒装焊形式的3D封装的电连接可靠性更高,封装结构面积更小。现在业界实现倒装焊形式的3D封装的办法一般是通过硅通孔(TSV)技术,形成相应的电通道,将半导体器件的电信号引到器件底部,方便实现半导体器件和封装基底或者其它半导体器件之间的电...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。