技术编号:11779726
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及非易失性存储器,并且更具体地涉及电阻式随机存取存储器。背景技术电阻式随机存取存储器(RRAM)是一种非易失性存储器。通常,RRAM存储器单元各自包括夹在两个导电电极之间的电阻介电材料层。介电材料通常是绝缘的。然而,通过在电介质层上施加合适电压,可形成穿过介电材料层的导电路径(通常称为细丝)。细丝一旦形成,便可通过在介电层上施加适当的电压将其“复位”(即,断开或破裂,导致在RRAM单元上的高电阻状态)和置位(即,重新形成,导致在RRAM单元上的较低电阻状态)。低电阻状态和高电阻状态可用于...
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