技术编号:11804366
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及作为半导体元件合适的SiC单晶的制造方法。背景技术SiC单晶在热学、化学方面非常稳定、机械强度优异、耐放射线方面强,而且与Si单晶相比具有高的绝缘击穿电压、高的热导率等优异的物理性质。因此,可实现Si单晶和GaAs单晶等现有半导体材料不能实现的高输出、高频、耐电压、耐环境性等,作为可进行大电力控制和节能的功率器件材料、高速大容量信息通信用器件材料、车载用高温器件材料、耐放射线器件材料等这样宽范围的新一代半导体材料的期待正在高涨。以往,作为SiC单晶的生长方法,代表性的已知有气相法、艾奇...
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