技术编号：11813991
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在置于沉积室中的基板表面上气相沉积层的方法。背景技术现有技术已知并且如图1所示，通过在置于沉积室3中的基板2的表面上的两种试剂之间的反应而气相沉积层1的方法包括以下步骤：-将第一试剂以气相通过第一注入路径4注入沉积室3；-将第二试剂以气相通过第二注入路径5注入沉积室3，所述第二注入路径5不同于第一注入路径4；-沉积室3内的压力在所述方法的整个持续时间保持恒定。然而，通常称为“化学气相沉积”并以首字母缩写CVD命名的方法并不令人满意。实际上，当第一试剂和第二试剂具有强反应性时，它们在到达...
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