技术编号:11834696
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种与非(NAND)型快闪存储器(flashmemory)等非易失性半导体存储装置,尤其涉及一种快闪存储器及其编程方法。背景技术NAND型快闪存储器包含多个NAND串(string),1个NAND串具有:串联连接的多个存储单元(memorycell);与存储单元其中一个的端部连接的源极线侧选择晶体管;以及与存储单元的另一个端部连接的位线侧选择晶体管。各存储单元的控制栅极连接于对应的字线,在源极线侧选择晶体管的栅极连接有选择栅极线SGS,在位线侧选择晶体管的栅极连接有选择栅极线SGD。这...
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