技术编号：11836153
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及半导体器件制造技术领域，尤其涉及一种沟槽型VDMOS制造方法。背景技术沟槽型垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管(简称：沟槽型VDMOS)是通过源离子和体离子注入后形成纵向扩散距离差形成沟道，并广泛应用于开关电源和同步整流领域。相比平面型VDMOS，沟槽型VDMOS由于消除了JFET区，所以其内阻非常小。但是由于沟槽型VDMOS中沟槽底部的拐角处曲率半径小，使沟槽型VDMOS的击穿电压较低。现有技术中，为了提高沟槽型VDMOS的击穿电压，主要采取在金属接触孔的区域注入P型离子的方法。...
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