技术编号：11836375
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种半导体元件及其制造方法。背景技术随着半导体元件的集成化，为了达到高密度以及高效能的目标，在制造半导体元件时，倾向形成向上堆栈的结构，以更有效利用晶圆面积。因此，具有高深宽比(highaspectratio)的半导体结构经常出现在小尺寸元件中。制造上述具有高深宽比的半导体结构，通常会进行多次的刻蚀，以形成不同图案的材料层。然而，由于尺寸微小化，造成对准不易、刻蚀工艺不易掌控或刻蚀后图形产生形变，甚至导致结构倒塌，而可能影响半导体元件工艺的良率。因此，如何减少刻蚀工艺的次数，及降低...
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