技术编号:11836385
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般而言是有关于半导体元件。并且,本发明更特别是有关于半导体元件中包括三维全环绕式栅极(gate-all-around,GAA)的垂直栅极(verticalgate,VG)结构的半导体结构,以及制造此类半导体结构及元件的方法。背景技术目前半导体元件的制造业者对于更加缩减半导体结构及元件的临界尺寸的需求已不断增加,以在较小的区域中达到较大的储存空间,且在每位的低成本的状况下进行制造。半导体的制造业者已逐渐增加于使用例如是薄膜晶体管技术(thinfilmtransistortechnique)...
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