技术编号：11836581
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于碳化硅晶体生长加工装置领域，尤其涉及一种蒸发法孕育碳化硅晶体生长装置。背景技术随着现在社会科技的不断发展，人们对于自身的衣食住行均提出越来越高的要求，晶体作为现在装饰用品的重要用品，相比于黄金等贵金属，晶体具有优良的美观性，收到人们的广泛喜爱。且不仅是宝石碳化硅晶体，对于一些特殊的晶体结构，由于现在的科技水平的不断成熟，也逐渐被人们所熟知，SiC作为C和Si唯一稳定的化合物，其晶格结构由致密排列的两个亚晶格组成，每个si(或c)原子与周边包围的C(si)原子通过定向的强四面体SP3...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。