本实用新型属于碳化硅晶体生长加工装置领域，尤其涉及一种蒸发法孕育碳化硅晶体生长装置。
背景技术：
随着现在社会科技的不断发展，人们对于自身的衣食住行均提出越来越高的要求，晶体作为现在装饰用品的重要用品，相比于黄金等贵金属，晶体具有优良的美观性，收到人们的广泛喜爱。
且不仅是宝石碳化硅晶体，对于一些特殊的晶体结构，由于现在的科技水平的不断成熟，也逐渐被人们所熟知，SiC作为C和Si唯一稳定的化合物，其晶格结构由致密排列的两个亚晶格组成，每个si(或c)原子与周边包围的C(si)原子通过定向的强四面体SP3键结合，虽然SiC的四面体键很强，但层错形成能量却很低，这一特点决定了SiC的多型体现象，已经发现SiC具有250多种多型体，每种多型体的C/Si双原子层的堆垛次序不同。
由于在自然界中碳化硅晶体生长较为缓慢，难以满足现在人们的生活以及生产需要。传统的设备子啊进行碳化硅晶体加工生长时，极易使得碳化硅晶体籽料受热不均匀，使得碳化硅晶体生长不均匀，严重影响碳化硅晶体的品质。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种蒸发法孕育碳化硅晶体生长装置，能够有效促进碳化硅晶体籽料在水溶液中快速生长，使得碳化硅晶体籽料生长均匀。
本实用新型是这样实现的：
一种蒸发法孕育碳化硅晶体生长装置，包括反应釜本体、转轴、碳化硅晶体盛放盒、换热器，所述反应釜本体的顶部设置有开口，并在开口上安装有液封盖，所述的转轴贯穿过液封盖设置于反应釜本体内部，并在转轴前端设置有若干搅拌桨，在搅拌桨的底部再安装有碳化硅晶体盛放盒，所述换热器设置在反应釜本体的侧边，在反应釜本体底部设置有加热管，所述的反应釜本体内设置有温度感应装置。
优选地，所述反应釜本体的侧壁设置若干限位槽孔。
优选地，所述的反应釜本体上安装有控制开关。
优选地，所述的搅拌桨与碳化硅晶体盛放盒可拆卸连接。
优选地，所述的反应釜本体与限位槽孔相互焊接。
技术效果
本实用新型提供的一种蒸发法孕育碳化硅晶体生长装置，通过装置上设计的转轴带动搅拌桨转动，使得防止在反应釜本体内的水溶液能充分流动，同时使得放置在碳化硅晶体盛放盒内的碳化硅晶体籽料能与水溶液充分接触，且受热均匀，促进碳化硅晶体籽料在水溶液中快速生长，整个装置操作便捷，使用方便，可被进一步推广应用。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1本实用新型实施例的整体结构示意图：
图中：1、反应釜本体；2、转轴；3、搅拌桨；4、碳化硅晶体盛放盒；5、换热器；6、温度感应器；11、液封盖；12、加热管；13、限位槽孔；14、控制开关。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
下面结合附图及具体实施例对本实用新型的应用原理作进一步描述。
如图1所示，本实施例提供一种蒸发法孕育碳化硅晶体生长装置，包括反应釜本体1、转轴2、碳化硅晶体盛放盒4、换热器5，反应釜本体1的顶部设置有开口，并在开口上安装有液封盖11，用于液封开口，转轴2贯穿过液封盖11设置于反应釜本体1内部，并在转轴2前端设置有若干搅拌桨3，在搅拌桨3的底部再安装有碳化硅晶体盛放盒4，换热器5设置在反应釜本体1的侧边，方便对反应釜本体1内的水溶液进行及时温度调节，在反应釜本体1底部设置有加热管12，反应釜本体1内设置有温度感应装置6，实时监控温度变化状况。
反应釜本体1的侧壁设置若干限位槽孔13。
反应釜本体1上安装有控制开关14。
搅拌桨3与碳化硅晶体盛放盒4可拆卸连接。
反应釜本体1与限位槽孔13相互焊接，提高整个装置的稳定性。整个装置操作便捷，可被进一步推广应用。
以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。