1.一种蒸发法孕育碳化硅晶体生长装置，包括反应釜本体、转轴、碳化硅晶体盛放盒、换热器，其特征在于，所述反应釜本体的顶部设置有开口，并在开口上安装有液封盖，所述的转轴贯穿过液封盖设置于反应釜本体内部，并在转轴前端设置有若干搅拌桨，在搅拌桨的底部再安装有碳化硅晶体盛放盒，所述换热器设置在反应釜本体的侧边，在反应釜本体底部设置有加热管，所述的反应釜本体内设置有温度感应装置。
2.如权利要求1所述的蒸发法孕育碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述反应釜本体的侧壁设置若干限位槽孔。
3.如权利要求1所述的蒸发法孕育碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述的反应釜本体上安装有控制开关。
4.如权利要求1所述的蒸发法孕育碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述的搅拌桨与碳化硅晶体盛放盒可拆卸连接。
5.如权利要求2所述的蒸发法孕育碳化硅晶体生长装置，其特征在于，所述的反应釜本体与限位槽孔相互焊接。