本实用新型属于碳化硅晶体生长加工装置领域，尤其涉及一种用于IGBT碳化硅晶体管的制备装置。
背景技术：
随着现在社会科技的不断发展，人们对于生活的品质追求也越来越高，不仅在普通的衣食住行方面，对于一些奢侈品的追求也在逐年增长，碳化硅晶体宝石由于本身是具有独特的衍射图案的固体，其原子或分子在空间按一定规律周期重复地排列。碳化硅晶体中原子或分子的排列具有三维空间的周期性，隔一定的距离重复出现。
由于自然界中存在的碳化硅晶体数量极其有限，随着现在社会科技研究水平的不断提升，为了满足人们对于碳化硅晶体的，越来越多的人们开始通过人工处理的方法进行人工合成，通常将碳化硅晶体籽料模拟自然环境，以促进晶体的快速生产，以满足市场需求，但普通的晶体生长装置虽然能有效提升生长的速率，但是晶体生长时生长及其不规则，严重影响晶体的品质，特别对于IGBT碳化硅晶体管，对于品质生产的要求更加严格。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于提供一种用于IGBT碳化硅晶体管的制备装置，能够有效实现装置促进IGBT碳化硅晶体管的生长，使其生长均匀，操作便捷。
本实用新型是这样实现的：
一种用于IGBT碳化硅晶体管的制备装置，包括反应釜本体、转轴、生长液盛放槽、搅拌装置、底座、温度感应器，所述反应釜本体的顶部设置有开口，并在开口上安装有液封盖，所述的转轴贯穿过液封盖设置于反应釜本体内部，并在转轴前端设置设置有夹持件，所述的夹持件设置于生长液盛放槽内部，生长液盛放槽通过若干支杆连接在反应釜本体的内壁，所述的反应釜本体内底部通过支撑座连接有搅拌装置，所述的搅拌装置上设置有加热丝，在反应釜本体外底部设置有底座，所述的反应釜本体内腔内设置有温度感应器。
优选地，所述的反应釜本体外底部设置有若干横向的凸块，所述的底座上设置有若干凹槽，所述的凸块与凹槽相互卡合连接。
优选地，所述的支杆与生长液盛放槽螺栓连接。
优选地，所述反应釜本体的外侧壁设置有控制开关。
优选地，所述的夹持件与转轴前端铰接连接。
技术效果
本实用新型提供的一种用于IGBT碳化硅晶体管的制备装置，通过装置上设计的转轴连接的夹持件将待加工的晶体籽料放置在生长液盛放槽内生长，生长液盛放槽在反应釜本体内放置的溶液中进行水溶液水浴加热加压，米面强烈的外界温度以及压力刺激导致晶体籽料生长不均匀，大大提升了晶体籽料生长的均匀性。整个装置操作便捷，且装置运行时更加便捷稳定，可被进一步推广应用。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1本实用新型实施例的整体结构示意图：
图中：1、反应釜本体；2、转轴；4、支撑座；5、温度感应器；11、液封盖；12、底座；13、凸块；14、凹槽；15、控制开关；31、生长液盛放槽；32、夹持件；33、支架；41、搅拌装置；42、加热丝。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
下面结合附图及具体实施例对本实用新型的应用原理作进一步描述。
如图1所示，本实施例提供一种用于IGBT碳化硅晶体管的制备装置，包括反应釜本体1、转轴2、生长液盛放槽31、搅拌装置41、底座12、温度感应器5，反应釜本体1的顶部设置有开口，并在开口上安装有液封盖11，转轴2贯穿过液封盖11设置于反应釜本体1内部，并在转轴2前端设置设置有夹持件32，用于夹持盛放碳化硅晶体籽料装置，夹持件32设置于生长液盛放槽31内部，生长液盛放槽31放置碳化硅晶体生长液体原料，生长液盛放槽31通过若干支杆33连接在反应釜本体1的内壁，反应釜本体1内底部通过支撑座4连接有搅拌装置41，搅拌装置41上设置有加热丝42，在反应釜本体1外底部设置有底座12，反应釜本体1内腔内设置有温度感应器。
反应釜本体1外底部设置有若干横向的凸块13，底座12上设置有若干凹槽14，凸块13与凹槽14相互卡合连接。
支杆33与生长液盛放槽31螺栓连接，方便安装拆卸。
反应釜本体1的外侧壁设置有控制开关15。
夹持件32与转轴2前端铰接连接。整个装置设置简单，操作便捷，可被进一步推广应用。
以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。