一种晶体打磨装置的制作方法

文档序号:12789184阅读:536来源:国知局
一种晶体打磨装置的制作方法

本实用新型属于晶体加工技术领域,具体涉及一种晶体打磨装置。



背景技术:

现目前,对于石英晶体的运用越加广泛,晶体块出厂时,其表面都是比较粗糙的,需要通过打磨机进行打磨,现有的晶体打磨加工工艺中通常采用机械式打磨加工或传统式人工打磨加工两种方法,机械打磨通常只是简单的将晶体固定在打磨模板上,再有机械打磨盘进行打磨加工。

在打磨过程中,常出现打磨不均匀,操作不方便,打磨厚度不达标等问题,人工打磨方式速度慢,工作效率低,打磨的质量也难以保证。



技术实现要素:

本实用新型的目的在于提供一种晶体打磨装置,以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种晶体打磨装置,包括打磨装置本体,所述打磨装置本体底部固定安装有打磨平台,所述打磨平台上放置有晶体,所述晶体通过夹块固定安装在打磨平台上,所述打磨装置本体顶部固定安装有电动升降杆,所述电动升降杆下方固定连接有升降平台,所述升降平台两侧与打磨装置本体固定连接有升降轴,所述升降平台通过轴套与升降轴滑动连接,所述升降平台上安装有电机,所述电机下方固定连接有转轴,所述转轴下端固定安装有打磨盘,所述转轴外部安装有丝轴套,所述丝轴套上方固定连接有连接盘,所述连接盘通过螺钉与升降平台固定连接,所述丝轴套上设置有刻度面,所述丝轴套外部安装有外罩,所述外罩上设置有观察窗。

优选的,所述升降平台上还安装有底座,所述电机固定安装与底座上。

优选的,所述电机上方与打磨装置本体固定安装有缓冲垫。

优选的,所述外罩旋至丝轴套最顶端时,外罩底面与打磨盘底面处于同一水平面。

优选的,所述外罩旋至最顶端时与刻度面零刻度对齐。

优选的,所述观察窗为环形结构,且观察窗位于外罩中间部位。

优选的,所述电动升降杆与升降轴均为对称设置。

本实用新型的技术效果和优点:该晶体打磨装置,通过外罩及丝轴套的设计,在打磨之前即可对打磨厚度进行设置,由于外罩旋至最顶端时与刻度面零刻度对齐,且外罩旋至丝轴套最顶端时,外罩底面与打磨盘底面处于同一水平面,所以外罩上端显示刻度即为晶体加工要求厚度,能够省去打磨后的测量程序,提高生产效率;通过升降轴及电动升降杆的对称设计,使得在打磨过程中装置的稳定性提高,能够提高产品的品质;该晶体打磨装置结构设计合理,在打磨过程中操作较为简单,能够省去打磨结束后对晶体厚度测量的程序,大大提高了生产效率。

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图;

图2为本实用新型的内部结构示意图;

图3为本实用新型的丝轴套及转轴结构示意图。

图中:1打磨装置本体、2升降轴、3观察窗、4外罩、5打磨平台、6电动升降杆、7电机、8升降平台、9连接盘、10丝轴套、11刻度面、12晶体、13打磨盘、14转轴。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型提供了如图1-3所示的一种晶体打磨装置,包括打磨装置本体1,所述打磨装置本体1底部固定安装有打磨平台5,所述打磨平台5上放置有晶体12,所述晶体12通过夹块固定安装在打磨平台5上,所述打磨装置本体1顶部固定安装有电动升降杆6,所述电动升降杆6下方固定连接有升降平台8,所述升降平台8两侧与打磨装置本体1固定连接有升降轴2,所述升降平台8通过轴套与升降轴2滑动连接,所述升降平台8上设置有电机7,所述电机7下方固定连接有转轴14,所述转轴14下端固定安装有打磨盘13。

进一步,所述转轴14外部安装有丝轴套10,所述丝轴套10上方固定连接有连接盘9,所述连接盘9通过螺钉与升降平台8固定连接,所述丝轴套10上设置有刻度面11,所述丝轴套10外部安装有外罩4,所述外罩4上设置有观察窗3,所述升降平台8上还安装有底座,所述电机7固定安装在底座上。

进一步,所述电机7上方与打磨装置本体1固定安装有缓冲垫,所述外罩4旋至丝轴套10最顶端时,外罩4底面与打磨盘13底面处于同一水平面,所述外罩4旋至最顶端时与刻度面11零刻度对齐,所述观察窗3为环形结构,位于外罩4中间部位,所述电动升降杆6与升降轴2均为对称设置。

具体的,该晶体打磨装置,工作时,通过旋转丝轴套10上的外罩4,由于外罩4旋至最顶端时与刻度面11零刻度对齐,且外罩4旋至丝轴套10最顶端时,外罩4底面与打磨盘13底面处于同一水平面,所以外罩4上端显示刻度即为晶体12加工要求厚度,之后电动升降杆6向下伸出,电机7通过转轴14带动打磨盘13转动,对晶体12进行打磨,在外罩4下表面与打磨平台5接触时,晶体12打磨结束,该晶体打磨装置结构设计合理,在打磨过程中操作较为简单,能够省去打磨结束后厚度测量的程序,大大提高了生产效率。

最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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