一种用于碳化硅晶体偏角整形的装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型设及对碳化娃晶体进行偏角整形，更具体地，本实用新型设及一种用 于碳化娃晶体偏角整形的装置。
【背景技术】
[0002] 碳化娃晶体是第=代宽带隙半导体材料，和第一代娃、第二代神化嫁半导体材料 相比，具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率高、电子饱和漂移速率高、电子迁移率高、介电 常数小、抗福射性能强、化学稳定性好等优良的物理化学性质，W及与娃集成电路工艺兼容 等特点，优良的性能使得碳化娃晶体成为制造高溫、高频、大功率、抗福射、不挥发存储器件 及光电集成器件的优选材料，成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究的热点。同为第 =代宽带隙半导体的氮化嫁、氮化侣、氧化锋等单晶材料虽然性能同样优异，但晶体生长制 备非常困难，而碳化娃单晶材料经过多年的研究其生长技术已经取得突破，为大规模产业 化应用奠定了基础。
[0003] 将碳化娃晶体应用于器件需加工成一定尺寸的晶片，基本工艺包括晶体生长、晶 锭裁切与检测、外径研磨、切片、倒边、表层研磨、蚀刻、抛光等步骤。由于碳化娃晶体硬度很 高，仅次于金刚石，运为晶体加工带来很大的困难，特别是外延用的碳化娃衬底片，由于工 艺需求其(OOOl)面必须沿<11 20〉方向进行4度或8度偏转，而碳化娃晶体的生长由于微管 控制需求，巧晶可能都是经过多次偏转加工，因此，加工衬底晶片时晶锭端面的磨削量比较 大。
[0004] 目前比较先进的偏角加工方式是在程控磨床上加装在线定向系统，通过万向转台 的调节对偏角面进行精确加工，但是运种方式成本比较高。传统的加工方式是利用普通磨 穿结合正弦规进行两次定向偏角加工，运种方式加工时间较长、端面磨削量较大。 【实用新型内容】
[0005] 鉴于现有技术存在的上述问题，发明人意识到，对于小批量碳化娃晶片偏角加工 时如果采用在线定向加工技术，加工成本太高。通过将碳化娃晶体常规的定向磨削技术进 行改进W使其满足碳化娃晶体的偏角加工要求，可能可W实现较少磨削量下碳化娃晶体偏 角面的一次性定向整形。
[0006] 鉴于上述认识，本实用新型所要解决的技术问题包括提供一种用于碳化娃晶体偏 角整形的装置，可保证碳化娃晶体偏角晶面的一次定向成型，避免了常规偏角整形时多次 修正的过程，有效提高了整形效率，且本实用新型操作简单、精度较高。
[0007] 为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种用于碳化娃晶体偏角整形的装 置，包括:夹持晶锭的夹具；调节偏角方向的偏角调节模块；W及吸附于磨床的基底;其中， 所述偏角调节模块为双正弦模块。
[000引本实用新型所采用的偏角整形装置，通过对双正弦模块十字方位上的量程调节， 可W对晶锭进行一次性偏角修正，提高了整形效率。而且，由于减少了定向修正次数，减少 了晶锭端面的磨削量，有效提高晶锭的出片率的同时有效降低晶锭的开裂率。
[0009] 较佳地，所述夹具可采用=爪夹头。
[0010] 由于碳化娃晶锭多为圆形，夹持晶锭的夹具采用=爪夹头，可提高夹持过程的稳 定性。
[0011] 较佳地，所述夹具具备标准十字方位标刻。由此可便于晶锭偏角方向的精确定位。
[0012] 较佳地，所述偏角调节模块可由侣合金材料制成。
[0013] 借助于此，可W有效降低整个装置的重量，便于加工过程中的移动。
[0014] 较佳地，可通过游标式旋钮调节所述偏角调节模块的量程。
[0015] 借助于此，可W对晶锭的偏角进行精确调节。
[0016] 较佳地，所述偏角调节模块具备锁死机构。
[0017] 借助于此，可W防止整形过程中量程高度发生变化，影响整形精度。
[0018] 较佳地，所述基底可使用永磁吸盘。
[0019] 借助于此，运样可W有效降低装置的重量。
[0020] 采用上述装置可进行碳化娃晶体偏角整形的方法，具体包括：
[0021 ] (1)在待整形的碳化娃晶锭的晶面偏角方向上进行十字定位并标注；
[0022] (2)对晶面进行定向，确定偏差角度；
[0023] (3)将所述碳化娃晶锭放置于夹具上，所述碳化娃晶锭的十字定位标注与所述夹 具的十字定位标记重合后将所述夹具锁死；
[0024] (4)利用正弦原理换算晶面十字方向上偏差角度需去除的高度；
[0025] 巧)将双正弦模块十字方向上量程调整相应高度并锁死；
[0026] (6)将夹持好所述碳化娃晶锭的装置置于平面磨床上吸附后进行磨削整形。
[0027] 根据本实用新型的加工方法，可保证碳化娃晶体偏角晶面的一次定向成型，避免 了常规偏角整形时多次修正的过程，有效提高了整形效率，且本实用新型操作简单、精度较 局。
[0028] 根据下述【具体实施方式】并参考附图，将更好地理解本实用新型的上述内容及其它 目的、特征和优点。
【附图说明】
[0029] 图1示出了根据本实用新型一实施形态的用于碳化娃晶体偏角整形的装置的结构 示意图；
[0030] 图2示出了图1所示装置中碳化娃晶锭生长端面的十字标刻的示意图；
[0031] 图3示出了采用图1所示装置夹持碳化娃晶锭的示意图；
[0032] 附图标记：
[0033] 1、晶锭(晶体），
[0034] 2、夹具，
[0035] 21、夹头，
[0036] 3、偏角调节模块，
[0037] 31、量块，
[003引 4、基底，
[0039] 5、游标式旋钮，
[0040] 6、锁死机构，
[0041 ] 7、晶锭生长端面(（OOOl)面），
[00创 A、标刻线。
【具体实施方式】
[0043] W下，参照附图，并结合下述实施方式进一步说明本实用新型。应理解附图及下述 实施方式仅是示例性地说明本实用新型，并不是限定本实用新型，在本实用新型的宗旨和 范围内，下述实施方式可有多种变更。
[0044] 针对目前晶体偏角加工方式中存在的种种不足之处，本实用新型提供了一种用于 碳化娃晶体偏角整形的装置，包括:夹持晶锭的夹具；调节偏角方向的偏角调节模块；W及 吸附于磨床的基底;其中，所述偏角调节模块为双正弦模块。
[0045] <偏角整形装置〉
[0046] 图1示意性地示出了本实用新型一实施形态的用于碳化娃晶体偏角整形的装置， 图2示出了图1所示装置中碳化娃晶锭生长端面的十字标刻的示意图；图3示出了采用图1所 示装置夹持碳化娃晶锭的示意图。如图1所示，该装置可包括夹持晶体1的夹具2、调节偏角 方向的偏角调节模块3和吸附于磨床的基底4。
[0047] 其中，夹具2可W承载且夹持碳化娃晶锭1，而且如图3所示，夹具2可采用=爪夹头 21，可提高夹持过程的稳定性。