技术编号:11836856
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种提高增强型GaNMOS沟道迁移率的器件结构及实现方法技术领域本发明属于微电子技术领域,涉及GaN基电力电子器件制作背景技术GaN材料以其禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、临界击穿电场强、热导率高等优越性能而备受关注。相比于其它三五族半导体材料,GaN基异质结因其在不掺杂时通过强自发极化效应能产生极高浓度的二维电子气,更是使其成为第三代半导体材料中的翘楚。GaN材料优越的性能使其在射频微波和电力电子领域有着广阔的应用前景。GaN器件主要以GaN异质结HEMT为主,其中AlGaN/GaN异质结最为...
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