技术编号:11836918
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示装置,更特别地涉及其薄膜晶体管结构的沟道(信道)层组成。背景技术显示器主要包含薄膜晶体管及其它电子组件。在薄膜晶体管的结构中,半导体层的材料主要为非晶硅(Amorphoussilicon,a-Si)。但随着技术发展,上述半导体层的材料渐渐转变为金属氧化物,其中铟镓锌氧化物(IGZO)具有较佳的电子迁移率。然而,在以IGZO半导体层作为沟道层的薄膜晶体管的制造工艺(制程)中,一般湿蚀刻工艺中的蚀刻液(例如铝酸(Alacid)),对于半导体层材料铟镓锌氧化物(IGZO)和用于源极和漏极...
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