技术编号:11837164
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体器件制作技术领域,更具体地,涉及一种相变存储单元及其制作方法。背景技术相变存储器是利用相变材料来存储信息的存储器。利用相变材料随温度的变化其电阻率发生变化,输入信息被存储在相变材料的结构中,也就是说,相变材料的相表示存储在存储器单元中的值。相变存储器包括若干存储器单元,存储器单元的相变材料可处于用于存储第一值的非晶相和用于存储第二值的晶相。每一个不同相都可以提供不同的电阻值,可通过测量该电阻值来确定所存储的值。图1为传统的相变存储单元的结构示意图。如图1所示,传统的相变存储单元包...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。