技术编号:11841535
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶体生长技术领域,具体涉及一种泡生法蓝宝石单晶炉热屏对热场的影响。背景技术蓝宝石晶体作为人工合成晶体中一种重要的光电子材料,因其优良的机械性能、物理性能、光学性能和化学稳定性,在军事、航天、通信、医学等领域有着重要的应用[1]。泡生法作为目前生长大直径蓝宝石单晶的有效且较成熟的方法,得到广泛的应用和发展;其基本生长过程为:Al2O3原料加热并熔化成熔体,用籽晶接触到熔体表面,缓慢向上提拉籽晶,使熔体顶部处于过冷状态,而在籽晶上结晶;调节加热器功率,不断降低温度来控制晶体生长,使单晶从上...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。