技术编号:11901351
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于碳化硅生产设备技术领域,涉及一种带有定位销的石墨坩埚。背景技术碳化硅(SiC)单晶具有宽禁带、高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等优点,是现代电子技术使用的重要材料。液相法是一种生长碳化硅晶体的方法,通过加热的方式将硅在高纯石墨坩埚中融化,形成碳在硅中的溶液,再将头部贴付有籽晶的石墨轴伸入到溶液中进行生长。为了满足生产需求在生产过程中通常采用加速坩埚旋转技术(ACRT),在产业化的要求下,生长速率高要求高,这种情况下,通常会采用高转速的方案,加速溶质的传输,从而提高生长速率,...
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