技术编号:11909890
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种真空热压烧结炉,特别是一种物料真空生产系统。背景技术随着微电子技术的进步,微加工工艺的特征线宽已达亚微米级,一块陶瓷基片上可以集成106~109个以上元件,电路工作的速度越来越快、频率越来越高,这对陶瓷基片材料的性能提出了更高的要求。作为混合集成电路(HIC)和多芯片组件(MCM)的关键材料之一,陶瓷基片占其总成本的60%左右。陶瓷基片发展的总方向是低介电常数、高热导率和低成本化。目前我国生产陶瓷基片一般工艺流程依次为:球磨、真空除泡、流延成型、排胶、烧结。作为生产陶瓷基片的关键设...
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