技术编号：11914878
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到硅基光子学以及芯片级光互连技术，尤其涉及一种CMOS后工艺集成高效率双向光栅耦合器。背景技术微电子技术和光纤通信技术是人类信息社会的两大基石。近半个世纪来，随着集成电路工艺特征尺寸的不断缩小，集成电路集成度一直按照摩尔定律飞速发展。芯片更高的集成度带来的不仅仅是晶体管数目的增加，更是芯片功能和处理速度的提升。然而，随着特征尺寸的不断缩小和集成度的不断增加，微电子工艺的局限性也日趋明显。一方面是由于器件线宽的不断减小，传统的光刻加工手段已经接近极限，此外，当器件尺寸接近纳米尺度时，将会...
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