技术编号:11925449
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。包括多个像素的图像传感器和形成像素的方法相关申请的交叉引用本申请要求提交于2015年11月9日、由DanielTekleab发明的名称为“PixelswithPhotodiodesFormedfromEpitaxialSilicon”(具有由外延硅形成的光电二极管的像素)的美国临时申请No.62/252775的优先权,该申请以引用方式并入本文,并且据此要求该申请的共同主题的优先权。技术领域本发明涉及图像传感器,更具体地讲,涉及形成用于图像传感器的光电二极管。背景技术数字照相机通常设置有数字图像传...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。