技术编号:11925861
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种存储器装置,且特别是有关于一种导电桥接式随机存取存储器。背景技术电阻式随机存取存储器(resistiverandomaccessmemory,RRAM)具有结构简单、面积小、操作电压小、操作速度快、记忆时间长、多状态记忆及耗功率低等优点。因此电阻式随机存取存储器极有潜力取代目前的快闪式存储器,成为下世代的非挥发性存储器主流。在电阻式随机存取存储器中,有一种称为导电桥接式随机存取存储器(conductive-bridgingRAM,CBRAM),其转态机制是利用施加电压产生氧化还...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。