技术编号:11926073
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。:本发明涉及材料领域,具体涉及一种纳米中空结构氧化锌的制备方法。技术背景:氧化锌的禁带能隙为3.37eV,是一种典型的宽禁带半导体材料。室温下,其激子束缚能高达60meV并且能稳定存在。因而,氧化锌具有极好的热稳定性和独特的力、光、电学性能。加之,氧化锌无毒、资源储备充足、价格低廉、可生物兼容。氧化锌作为一种新型的第三代半导体材料而被广泛研究。氧化锌纳米材料,由于尺度效应,使其具有块体氧化锌材料无法比拟的优异性能而被广泛应用于传感器、光催化、纳米发电机、换能器等领域。过去的几十年中,人们已成功制...
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