技术编号:11937893
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于多孔材料制备领域,具体涉及一种基于气相生长原理制备多孔氮化铝(多孔氮化铝)的方法。背景技术采用低介电常数材料作封装材料可以有效改善大规模集成电路高速性能,提高信号传输速率。由于空气拥有极低的相对介电常数(约1.0),通过引入空气做成多孔结构是一种降低材料介电常数的有效方法。由于氮化铝晶体具有较低的介电常数(8.0~9.2@1MHz),高导热系数(320W/(m·K)),与硅材料相近的热膨胀系数,是一种理想的电子封装材料。通过引入多孔结构,制备多孔氮化铝,可以进一步降低介电常数,改善材料...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。