技术编号:11946909
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及超大规模集成电路测试技术领域,具体是一种基于游标环的绑定前硅通孔测试结构。背景技术随着CMOS工艺节点逐渐接近物理极限,摩尔定律正式走向了终结。三维集成电路(Three-DimensionalIntegratedCircuit,3DIC)技术的出现为半导体行业的发展提供了新的动力,近些年成为了业界的研究热点。3DIC技术利用硅通孔(Through-SiliconVia,TSV)在垂直方向上将多个堆叠的裸片(Die)进行互连,具有高性能、高带宽、低功耗且支持异构集成等优点。同时基于TSV...
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