技术编号:11954897
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。半导体器件相关申请的交叉引用本申请要求于2014年12月12日在韩国提交的申请号为10-2014-0179783的专利申请的优先权,其整个公开内容通过引用整体合并于此。技术领域本发明的各种实施例涉及一种半导体器件,且更具体地,涉及一种包括存储器单元的半导体器件。背景技术闪速存储器单元的阈值电压根据其储存的数据而变化。为了读取存储在存储器单元中的数据,对相应的字线施加读取电压。为了增加集成密度,存储器单元之间的间隙也就是字线之间的间隙制备得更窄。由于这个原因,当操作电压被施加至选中的字线(或者选中...
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