技术编号：11955792
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。具有优化的膜方案的高良率RRAM单元相关申请的交叉引用本申请是于2014年4月2日提交的美国申请第14/242，983号的部分继续申请。技术领域本发明涉及具有优化的膜方案的高良率RRAM单元。背景技术许多现代电子器件含有配置为存储数据的电子存储器。电子存储器可以是易失性存储器或非易失性存储器。易失性存储器当其通电时存储数据，而非易失性存储器当其断电时能够存储数据。电阻式随机存取存储器(RRAM)由于其简单的结构以及与CMOS逻辑制造工艺的兼容性而成为下一代非易失性存储器技术的一个有前景的候选。R...
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