技术编号:11956005
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。背景技术低温多晶硅薄膜晶体管(LowTemperaturePoly-Silicon-ThinFilmTransistor,简称LTPS-TFT)显示器具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率、高电子移动率等优点。目前,低温多晶硅薄膜晶体管包括设置在衬底上的有源层、栅绝缘层、栅电极、源电极和漏电极;所述有源层包括源极区、漏极区以及位于所述源极区和漏极区之间的沟道区。为了避免光照射有源层的沟道区而产生漏电流,对多晶硅薄膜晶体管的电...
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