技术编号:11956020
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路制造技术领域,更具体地,涉及一种低串扰的图像传感器结构及其制作方法。背景技术图像传感器是把光学图像信息转化成电信号的器件。传统的固态图像传感器可包括CCD(电荷耦合装置)图像传感器和CMOS(互补金属氧化物半导体)图像传感器两大类。CMOS图像传感器由于在像素阵列中采用了有源像素传感器,且采用CMOS集成电路工艺制程,可将像素阵列光敏结构和其他CMOS模拟、数字电路集成到同一块芯片上。高度集成不但可减少整机芯片数量,降低整机功耗和封装成本,而且芯片内部直接信号连接还有利于...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。