技术编号:11957966
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于电子技术领域,尤其涉及终端及其充电方法。背景技术目前,手机电池容量逐渐升高,人们为了在短时间内充满电,逐步提升手机的充电电流,但是如果使用一个芯片进行大电流充电时,芯片散热也非常大,充电芯片的温升会非常高,有时为了能进行大充电电流,通常采用双充电芯片进行散热的技术方案。在双充电芯片技术方案中,一般是一个充电芯片为主充电芯片,另外一个充电芯片为从充电芯片,两个充电芯片在恒流充电时的理论最大充电电流分别为I1max和I2max,恒流充电时总的最大充电电流理论为Imax=I1max+I2ma...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。