技术编号：11971740
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种深沟槽填充结构及其制作方法。背景技术绝缘体上硅（SiliconOnInsulator，SOI）技术是在顶层半导体和衬底之间形成一层埋氧化层。使用绝缘体上硅结构的集成电路元件与传统集成电路元件相比，具有集成密度高、速度快、短沟道效应小、功耗低的特点，同时还可以避免体硅结构中的闩锁效应，是半导体技术发展的主流工艺。参考图1，示出了现有技术一种SOI作为基底的RF传输线简单等效模型示意图。等效模型2采用SOI作为基底，输入信号为一较大振幅的射频信号1时，所述SOI...
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