技术编号:11985954
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种硅电容结构,具体为一种具有高稳定性的硅电容结构,属于电子应用技术领域。背景技术在现今的电擦除可编程只读存储器工艺中,硅电容已经广泛应用作为集成电路的电容器元件使用,硅电容的基本构造为玻璃-硅-玻璃的差容结构,硅敏感芯片作为可移动极板玻璃作为固定极板,在使用过程中灵敏度高、工艺简单而被人们不短的研究;且硅电容可封装在专用基座中,适用于中、微压力的高精度测量,可用于目前通用压力传感器的升级产品;但是这种电容仍然有他的缺陷,硅电容的输出阻抗难以降低,传感器和测量电路的绝缘要求很难达到...
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