技术编号：11990305
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于半导体制造领域，涉及一种深N阱隔离测试结构。背景技术互补金属氧化物半导体(ComplementaryMetalOxideSemiconductor，CMOS)是电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元。CMOS由PMOS管和NMOS管共同构成，它的特点是低功耗。由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间要么PMOS导通、要么NMOS导通、要么都截至，比线性的三极管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。相对于其他逻辑系列，CMOS逻辑电路具有以下优点：1、允许的电...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。