技术编号:12005955
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种晶体管的形成方法。背景技术随着半导体技术的不断发展,MOS晶体管的特征尺寸不断缩小,MOS晶体管的栅介质层的厚度也按等比例缩小的原则变得越来越薄。当所述栅介质层的厚度薄到一定的程度后,其可靠性问题,尤其是与时间相关的击穿、热载流子效应、栅电极中的杂质向衬底的扩散等问题,将严重影响器件的稳定性和可靠性。现在,SiO2层作为栅介质层已经达到其物理厚度极限,利用高K栅介质层替代SiO2栅介质层,可以在保持等效氧化层厚度(EOT,EquivalentOxideThi...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。