技术编号：12006299
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及适宜检测形成于半导体晶片等基板表面的金属膜（或导电性膜）的涡电流传感器。此外，本发明涉及对形成于基板表面的金属膜（或导电性膜）通过涡电流传感器进行监视的同时研磨基板而除去金属膜（或导电性膜）的研磨方法及装置。背景技术近年来，伴随半导体设备的高集成化、高密度化，电路的配线越来越微细化，多层配线的层数也在增加。要在追求电路微细化的同时实现多层配线，由于会承袭下侧层的表面凹凸的同时阶差会变得更大，因此，随着配线层数的增加，形成薄膜时对于阶差形状的膜覆盖性（台阶覆盖率）变差。因此，为了进行多层...
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