技术编号：12006445
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于一种晶体管，且特别是有关于一种薄膜晶体管。背景技术在半导体元件制造领域当中，数字电路集成化的成功使得电子及资讯业的进展一日千里；近年来，更将此数字技术扩展至一些模拟的领域之中。传统上，半导体集成电路中仅具有单一介电层，然而随着集成电路的设计日趋复杂，单一介电层已经不符合新一代集成电路的需要。在传统方法中，制造高压元件时，需培养较厚的栅极氧化层才能承受高压的工作环境。在传统的薄膜晶体管设计当中，可以使栅极与源/漏极电极部分重叠或是分隔而不重叠。倘若在设计上使这些电极分离而不重叠，在蚀...
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