技术编号:12014983
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种AlyInxGa1-x-yN薄膜的外延结构及生长方法技术领域本发明涉及半导体材料,尤其是涉及一种AlyInxGa1-x-yN薄膜的外延结构及生长方法。背景技术AlyInxGa1-x-yN材料体系作为一种重要的半导体材料,被广泛地应用于制作绿、蓝和紫外波段的发光器件和探测器,以及高功率、高温度的射频电子器件。由于缺乏晶格匹配的衬底,AlyInxGa1-x-yN材料通常是在异质衬底上外延生长获得的。常用的异质衬底主要为蓝宝石、碳化硅和硅。这些异质衬底材料与AlyInxGa1-x-yN材料之间存在...
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