技术编号:12040921
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种静态存储单元及其形成方法。背景技术静态随机存储器(StaticRandomAccessMemory,SRAM)作为存储器中的一员,具有高速度、低功耗与标准工艺相兼容等优点,广泛应用于电脑、个人通信、消费电子产品(智能卡、数码相机、多媒体播放器)等领域。随着半导体工艺技术的不断发展,工艺节点逐渐减小,多栅器件获得到了广泛的关注,鳍式场效应晶体管(FinFET)是一种常见的多栅器件,被广泛应用于SRAM晶体管中,能够有效的提高SRAM晶体管的性能。如图1,为采用...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。