技术编号：12040932
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体工艺领域，特别涉及一种测试线的形成方法。背景技术在半导体后段工艺中，通常会在晶圆表面一定空白区域中制作一定长度的测试线。该测试线的制作材料与半导体器件功能区中金属线（例如金属互连线）的制作材料相同，其作用是代替功能区中的金属线接受电阻值的检测，根据检测出的电阻值计算出测试线的电阻率，从而得到功能区金属线的电阻率。如果该测试线的长度较小，检测到该测试线的电阻值不稳定，得到该测试线的电阻率准确度较低。为此，通常需要将测试线的长度设置得较大。但是，随着半导体集成化程度的提高，半导体设计...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。