技术编号:12041143
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纵型沟槽IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor:绝缘栅双极晶体管)及其制造方法。背景技术以往,纵型沟槽IGBT的发射极层利用杂质注入和热处理形成。此外,为了使纵型沟槽IGBT的单元结构细微化而需要使接触结构插塞化,但是,接触插塞经由薄的阻挡金属与半导体层接触。此外,提出在横型晶体管中利用来自多晶硅的杂质扩散形成扩散层或在半导体层和接触插塞之间设置多晶硅膜(例如,参照专利文献1~3)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平8-97226号公报;专利文献...
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