技术编号:12064061
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及新型电子元器件的技术领域,具体涉及一种最简忆阻系统及其仿真电路。背景技术忆阻器自从惠普实验室成功研制以来,由于潜在的应用吸引了很多研究者的关注。忆阻器定义为电路电荷变量和磁通量之间的关系。这个定义可以延伸到任何一种双端忆阻元件,同时可以延伸到很多忆阻动力系统,甚至能延伸到忆容器和忆感器动力系统。忆阻系统区别于其他动力系统的三个重要的特征为:(i)忆阻系统的磁滞回线是一条通过原点的李萨如曲线;(ii)如果输入周期信号的频率增大,则磁滞回线收缩;(iii)如果频率趋于无穷大时,那么忆阻系统...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
请注意,此类技术没有源代码,用于学习研究技术思路。