技术编号:12066033
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,尤其涉及一种超结器件。背景技术在功率半导体领域内,以垂直双扩散工艺形成的纵向金属氧化物半导体场效应晶体管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET)称为VDMOSFET,简称VDMOS。如图1所示,VDMOS的耐压层由轻掺杂的外延漂移区组成,电场近似为梯形分布,电场所包围的面积为击穿电压(BV)。提高BV需要增加漂移区厚度以及减小的漂移区掺杂浓度,会导致导通电阻Ron变大,大大增加了功耗。BV与Ron存在制约关系...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。