技术编号：12066059
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及用于在半导体元件中提高外延应力效果的机制。背景技术半导体集成电路(IC)技术经历了快速增长。在IC发展过程中，元件密度普遍增加，与此同时芯片尺寸不断降低。这种减小芯片尺寸的制作工艺，在提高生产效率以及降低相关成本上具有益处。但芯片尺寸减小也增加了加工和制造IC的复杂性，因此为了实现这些技术上的进步，在IC制造中也亟需不断发展。例如，随着金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的半导体元件通过各技术节点减小尺寸，已经实现应变的源极区/漏极区元件来增加载流...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。