技术编号:12066064
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施例涉及集成电路器件,更具体地,涉及鳍式场效应晶体管及其制造方法。背景技术随着半导体器件尺寸持续不断地按比例缩小,诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的三维多栅极结构已发展到代替平面互补金属氧化物半导体(CMOS)器件。FinFET的结构部件是从衬底的表面垂直延伸的硅基鳍,并且包裹由鳍形成的导电沟道的栅极进一步提供了对沟道的更好的电控制。在FinFET的制造期间,鳍轮廓对于工艺窗口是非常重要的。当前的FinFET工艺可能遭受负载效应和鳍弯曲问题。发明内容本发明的实施例提供了一种鳍式场效...
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