技术编号:12129080
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,尤其涉及LDMOS器件(LaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductorDevice)及相关半导体集成电路的制造方法。背景技术BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工艺能在同一硅衬底上制作多种类型的半导体器件。相对于仅需提供NMOS与PMOS晶体管的逻辑工艺和只需支持少量器件的存储器工艺,BCD工艺必须提供高度集成且坚固耐用的高端功率管和低端功率晶体管(例如LDMOS)、逻辑和模拟CMOS、电平移位MOS晶体管以及双极结型晶体管。因而,...
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