技术编号:12129292
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体制作工艺、平面场效晶体管及鳍状场效晶体管,且特别是涉及一种具有延伸部扩大栅极通道的半导体制作工艺、平面场效晶体管及鳍状场效晶体管。背景技术由金属-氧化物-半导体结合所形成的晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor,MOS)是一种广泛使用的晶体管。现有的晶体管结构,是由栅极、源极、漏极所组成。源极、漏极分别位于基材中,而栅极位于基材上并介于源极、漏极之间,负责控制夹在源极、漏极中间且位于栅极下方的栅极通道中电流的开与关。一般而言,晶体管可分为平面(planar...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。