技术编号:12129622
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及FINFET器件及其制造方法。背景技术半导体集成电路(IC)产业经历了快速增长。在IC发展过程中,功能密度(即每芯片面积上互连器件的数量)通常增大了而几何尺寸(即,使用制造工艺可以做出的最小的元件(或线))减小了。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本而带来益处。但是,这种按比例缩小工艺也增大了加工和制造IC的复杂度。为了实现这些进步,需要在IC加工和制造方面的相似的进步。例如,随着追求更高的器件集成度、更高的性能和更低的成本,半导体工业已进入纳米技术工艺节点,来自...
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